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Product Center當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心分析儀泰克分析儀4200A-SCS泰克4200A-SCS參數(shù)分析儀
泰克4200A-SCS參數(shù)分析儀大膽發(fā)現(xiàn)從未如此容易。 4200A-SCS 參數(shù)分析儀可將檢定和測試設(shè)置的復(fù)雜程度降低高達 50%,提供清晰且不折不扣的測量和分析功能。 另外,嵌入式測量專業(yè)知識可提供測試指南并讓您對結(jié)果充滿信心。特點內(nèi)置測量視頻采用英語、中文、日語和韓語使用數(shù)百個用戶可修改應(yīng)用測試開始您的測試自動實時參數(shù)提取、數(shù)據(jù)繪圖、算數(shù)函數(shù)
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
泰克4200A-SCS參數(shù)分析儀
主要性能指標(biāo)
I-V 源測量單元(SMU)
C-V 多頻率電容單元(CVU)
高壓脈沖發(fā)生器單元(PGU)
為材料、半導(dǎo)體器件和工藝開發(fā)提供*秀的參數(shù)分析儀
使用強大的Clarius 軟件,可以更加快速的完成I-V, C-V 和脈沖I-V 測試,結(jié)果清晰明了
泰克4200A-SCS參數(shù)分析儀
4200A-SCS 儀器和模塊
型號 | 說明 | 主要測量 | 范圍 | 測量分辨率 |
4200-SMU | 中等功率源測量單元 | DC I-V 超低頻率 C-V 準(zhǔn)靜態(tài) C-V | ±100 mA, ±210 V | 0.2 mV, 100 fA |
4210-SMU | 高功率源測量單元 | ±1 A, ±210 V | 0.2 mV, 100 fA | |
4200-PA | 遠程前端放大器模塊 | 擴展所有 SMU 的電流范圍 | 0.2 mV, 10 aA | |
1 kHz - 10 MHz | ||||
4210-CVU | 電容電壓單元 | AC 阻抗 C-V, C-f, C-t | ±30 V 內(nèi)置DC 偏置裝置(60 V 差分) 使用 SMU 擴展直流偏置電壓至 | - |
±210V | ||||
4200A-CVIV | I-V/C-V 多通道 開關(guān)模塊 | DC I-V 和 C-V 自動切換 | - | - |
脈沖式 I-V SegmentARBR® 多電平脈沖 瞬態(tài)波形捕獲 | ±40 V (80 V p-p), ±800 mA 200 MSa/s 同時測量電流和電壓 | |||
4225-PMU | 超快速脈沖測量單元 | 2048 個唯yi段 | 75 nA | |
20 ns 脈寬僅輸出時 | ||||
60 ns 脈寬輸出同時測流時 | ||||
4225-RPM | 遠程前段放大器 / 開關(guān)模塊 | DC I-V、C-V、脈沖式 I-V 間自動切換 | 擴展 4225-PMU 單元的電流范圍 | 200 pA |
4220-PGU | 高壓脈沖發(fā)生器單元 | 脈沖式電壓源 Segment ARB® 多電平脈沖 | ±40 V (80 Vp-p) 2048 個唯yi段 | - |
接地單元 | 內(nèi)置低噪聲接地單元 | - | 三同軸連接 : 2.6 A 接線柱 : 9.5 A | - |
典型應(yīng)用
MOSFET, BJT 晶體管
材料特性分析
非易失性存儲設(shè)備
電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測量
NBTI/PBTI
III-V 族器件
失效分析
納米器件
二極管和pn 聯(lián)結(jié)
太陽能電池
傳感器
MEMS 器件
電化學(xué)
LED 和OLED